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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Comparar
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
60
Por volta de 32% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
60
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
12.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1438
2511
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
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Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
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