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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Compara
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
60
En 32% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
60
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1438
2511
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
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