RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
43
Rund um -43% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.4
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.7
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
14.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1314
3465
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link