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SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
48
Rund um 38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.0
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
10600
8500
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
30
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.0
5.9
Speicherbandbreite, mbps
8500
10600
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1948
1420
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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