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SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Compara
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
48
En 38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.0
5.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
10600
8500
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
30
48
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
8.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.0
5.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
10600
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1948
1420
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
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