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SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
48
Por volta de 38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.0
5.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
10600
8500
Por volta de 1.25 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
30
48
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
8.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.0
5.9
Largura de banda de memória, mbps
8500
10600
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1948
1420
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
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