RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
38
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
6.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.6
13.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1406
3432
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link