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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
38
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
6.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
29
读取速度,GB/s
10.9
17.6
写入速度,GB/s
6.6
13.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1406
3432
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
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