SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Gesamtnote
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Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Unterschiede

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    28 left arrow 37
    Rund um -32% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.2 left arrow 9.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.1 left arrow 7.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 14900
    Rund um 1.14 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    37 left arrow 28
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.8 left arrow 13.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.2 left arrow 9.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    14900 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2065 left arrow 1989
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche