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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

総合得点
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

総合得点
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Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB 考慮すべき理由
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 37
    周辺 -32% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.1 left arrow 7.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 14900
    周辺 1.14 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 13.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.2 left arrow 9.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    14900 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2065 left arrow 1989

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