RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
49
Rund um -53% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.3
5.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.2
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.2
16.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1223
3726
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link