RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
49
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
8.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
5.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
32
Скорость чтения, Гб/сек
8.2
19.4
Скорость записи, Гб/сек
5.2
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1223
3726
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link