RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
18.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3420
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link