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SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
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SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
49
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.3
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
32
Velocidad de lectura, GB/s
8.2
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1223
3726
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
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