RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gesamtnote
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
5.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
3.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
8500
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
41
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
41
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
5.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
3.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
8500
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1484
609
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link