RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Comparez
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Note globale
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Note globale
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.1
5.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.1
3.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
8500
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
41
Autour de -41% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
41
29
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
5.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
3.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
8500
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1484
609
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
OCZ OCZ2SI8002G 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link