RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gesamtnote
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
41
Rund um -28% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.1
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
9.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1484
2386
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link