RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
41
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
2386
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link