RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
41
Rund um -86% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
12.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1484
2801
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link