RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
44
Rund um -63% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1977
2409
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link