RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
47
Rund um 38% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
47
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.3
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
8.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1605
2640
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
INTENSO 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link