RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
47
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
47
Prędkość odczytu, GB/s
11.3
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1605
2640
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link