RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
65
Rund um -91% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
1,711.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,018.7
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,711.1
9.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
513
2319
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link