RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
65
Около -91% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
1,711.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,018.7
11.1
Скорость записи, Гб/сек
1,711.1
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
513
2319
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Сравнения RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link