RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Сравнить
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,036.1
10.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
75
Около -108% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,986.4
13.9
Скорость записи, Гб/сек
2,036.1
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
714
2581
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston 99U5403-043.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Nanya Technology NT2GC64B88G0NF-CG 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link