RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gesamtnote
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
48
65
Rund um -35% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
1,711.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,018.7
11.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,711.1
8.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
513
2466
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link