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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Pontuação geral
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
11.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
48
65
Por volta de -35% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
1,711.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
48
Velocidade de leitura, GB/s
4,018.7
11.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,711.1
8.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
513
2466
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparações de RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
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