RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
65
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
48
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
2466
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link