RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gesamtnote
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
65
Rund um -132% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
1,711.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,018.7
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,711.1
11.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
513
2648
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link