RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
19.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
66
Rund um -214% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,929.1
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
13.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
511
3512
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1866C10 8GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link