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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
19.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
66
左右 -214% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
21
读取速度,GB/s
2,929.1
19.5
写入速度,GB/s
2,978.2
13.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
3512
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
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