SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB

Gesamtnote
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Gesamtnote
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Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB

Unterschiede

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    46 left arrow 68
    Rund um -48% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    5 left arrow 4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,264.2 left arrow 2,013.5
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    68 left arrow 46
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,402.8 left arrow 5,243.1
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,013.5 left arrow 2,264.2
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    701 left arrow 775
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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