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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
68
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,264.2
2,013.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR2
Latência em PassMark, ns
68
46
Velocidade de leitura, GB/s
4,402.8
5,243.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,013.5
2,264.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
6400
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
701
775
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Comparações de RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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