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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
Confronto
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
68
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,264.2
2,013.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
68
46
Velocità di lettura, GB/s
4,402.8
5,243.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,013.5
2,264.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
6400
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
701
775
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Confronto tra le RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
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Kingston 9905630-066.A00G 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
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