SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB

Punteggio complessivo
star star star star star
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    46 left arrow 68
    Intorno -48% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    5 left arrow 4
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    2,264.2 left arrow 2,013.5
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenza in PassMark, ns
    68 left arrow 46
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,402.8 left arrow 5,243.1
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,013.5 left arrow 2,264.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    701 left arrow 775
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti