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Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
Confronto
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB vs Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
66
Intorno -43% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,264.2
1,906.1
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
66
46
Velocità di lettura, GB/s
4,323.0
5,243.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,906.1
2,264.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
6400
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
703
775
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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