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Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
比较
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB vs Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
总分
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
总分
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
差异
规格
评论
差异
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Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
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需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
46
66
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
5
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,264.2
1,906.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
66
46
读取速度,GB/s
4,323.0
5,243.1
写入速度,GB/s
1,906.1
2,264.2
内存带宽,mbps
6400
6400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
703
775
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
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