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Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
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Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB vs Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
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Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
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Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
66
En -43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,264.2
1,906.1
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
66
46
Velocidad de lectura, GB/s
4,323.0
5,243.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,906.1
2,264.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
6400
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
703
775
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
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