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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
20.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,381.6
17.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
60
Rund um -216% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,082.2
20.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,381.6
17.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
925
3821
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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