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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gesamtnote
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,381.6
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
60
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,082.2
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,381.6
10.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
925
3026
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calculate
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