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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Compara
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Puntuación global
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,381.6
10.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
60
En -100% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
30
Velocidad de lectura, GB/s
5,082.2
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,381.6
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
925
3026
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
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