SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

Puntuación global
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Puntuación global
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    5 left arrow 16
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    2,381.6 left arrow 10.6
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 60
    En -100% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 6400
    En 4 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    60 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    5,082.2 left arrow 16.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    2,381.6 left arrow 10.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    925 left arrow 3026
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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