RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Сравнить
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,381.6
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
60
Около -100% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
30
Скорость чтения, Гб/сек
5,082.2
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,381.6
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
925
3026
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link