RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,381.6
17.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
60
Rund um -131% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,082.2
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,381.6
17.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
925
3757
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link