RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
17.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,381.6
17.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
60
Около -131% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
26
Скорость чтения, Гб/сек
5,082.2
17.2
Скорость записи, Гб/сек
2,381.6
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
925
3757
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link