RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Gesamtnote
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
68
73
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
1,670.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
73
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,554.9
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,670.7
9.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
513
1843
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link