RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
63
Rund um -142% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.1
1,583.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,895.6
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,583.7
17.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
639
3757
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link