RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
63
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
1,583.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,895.6
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,583.7
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
639
3757
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link