RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Vergleichen Sie
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Gesamtnote
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
35
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
11.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1570
2484
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB RAM-Vergleiche
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link