RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
63
74
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
74
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
8.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
1714
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CML4GX3M1A1600C9 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link