RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
51
63
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
10.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
8.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
2359
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link