RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
46
Rund um -28% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
11.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
2734
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link